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株洲科能分子束外延(MBE)级高纯镓通过中科院半导体研究所试用
近日,中国科学院半导体研究所使用我司生产的MBE级高纯镓用于分子束外延GaAs基材料的生长,先后生长了非掺杂GaAs薄膜和AlGaAs/GaAs二维电子气材料,使用效果良好,完全满足分子束外延高端材料生长的使用要求。
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新一代半导体材料——氧化镓
氧化镓作为一种新兴的超宽带隙导体拥有更高的功率以及深紫外光电特性,再加上其热稳定性以及人工晶体衬底合成成本低,让开发者有望基于此开发出小型化,高效的、性价比优良的超大功率晶体管。[……]
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异质结电池扩产进入GW时代,铟需求有望进一步增长
异质结电池的大规模量产将有效带动其制备过程中的稀散金属铟的需求量。[……]
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“缺芯”之下,国内半导体迎来发展机遇
新能源汽车行业的快速发展,本土供应链获得了很好的发展机会,带动国内中上游制造环节材料的相应增长。[……]
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光伏行业用镓给高纯镓的需求带来新的亮点
国内光伏市场开始规模化扩大,光伏行业采用镓替代硼作为掺杂剂提高产品性能,给高纯镓的需求带来新的亮点。
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